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DaeHwa Joung (Korea Research Institute of Standards and Science) Hyeji Park (Korea Research Institute of Standards and Science) Jihun Mun (Korea Research Institute of Standards and Science) Jonghoo Park (Kyungpook National University) Sang-Woo Kang (Korea Research Institute of Standards and Science) TaeWan Kim (Korea Research Institute of Standards and Science)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.26 No.5
발행연도
2017.9
수록면
110 - 113 (4page)

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The two-dimensional layered MoS2 has high mobility and excellent optical properties, and there has been much research on the methods for using this for next generation electronics. MoS2 is similar to graphene in that there is comparatively weak bonding through Van der Waals covalent bonding in the substrate-MoS2 and MoS2-MoS2 heteromaterial as well in the layer-by-layer structure. So, on the monatomic level, MoS2 can easily be exfoliated physically or chemically. During the MoS2 field-effect transistor fabrication process of photolithography, when using water, the water infiltrates into the substrate-MoS2 gap, and leads to the problem of a rapid decline in the material’s yield. To solve this problem, an epoxy-based, as opposed to a water-based photoresist, was used in the photolithography process. In this research, a hydrophobic MoS2 field effect transistor (FET) was fabricated on a hydrophilic SiO2 substrate via chemical vapor deposition CVD. To solve the problem of MoS2 exfoliation that occurs in water-based photolithography, a PPMA sacrificial layer and SU-8 2002 were used, and a MoS2 film FET was successfully created. To minimize Ohmic contact resistance, rapid thermal annealing was used, and then electronic properties were measured.
#MoS< #SUB> #2< #/SUB> #FET Device #CVD #Photolithography

목차

Abstract
I. Introduction
II. Experiments
III. Results and Discussion
IV. Summary
References

참고문헌 (10)

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S. Fathipour, N. Ma, W. S. Hwang, V. Protasenko, S. Vishwanath, H. G. Xing, H. Xu, and D. Jena, J. Appenzeller, A. Seabaugh, Appl. Phys. Lett., 105, 192101 (2014). M. lqbal Bakti Utama, Xin Lu, Da Zhan, Son Tung Ha, Yanwen Yuan, Zexiang Shen, and Qihua Xiong, Nanoscale, 6, 12376-12382 (2014). A.L.Bogdanov and S.S.Peredkov, Microelectronic Engineering, 53, 493-496 (2000). Stephan Keller, Gabriela Blagoi, Michael Lillemose, and Daniel Haefliger, Anja Boisen, JMM, 18, 125020 (2008). B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, and A. Kis, Nature Nanotechnology, 6, 147 (2011).

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