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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.9
- 수록면
- 811 - 816 (6page)
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초고진공 화학기상증착장치(UHV-CVD)에 의해 성장된 실리콘-흡착된 산소(Si-O) 초격자가 실리콘 양자전자소자를 위한 에피택셜 장벽으로 소개되었다. 전류-전압 측정 결과 높은 브레이크다운 전압을 갖는 매우 안정하고 양호한 절연특성을 나타내었다. 에피택셜 성장된 Si-O 초격자는 SOI(silicon on insulator)를 대체할 수 있는 절연층으로도 사용될 수 있음을 보여준다. 이 두꺼운 장벽은 전계효과트랜지스터(FET)의 절연 게이트로 유용하게 사용될 수 있어 FET 위에 또 다른 FET를 제작할 수 있으므로 미래 실리콘계 3차원 집적회로의 궁극적인 목표에 한층 더 다가갈 수 있는 가능성을 보여주는 것이다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
R. Tsu / 1993 / Silicon-based quantum wells / Nature (London) 364:19
Raphael Tsu / 1991 / Resonant tunneling in microcrystalline silicon quantum box diode / Proc. SPIE 1361:232
S. Y. Chou / 1992 / Steps and spikes in current‐voltage characteristics of oxide/microcrystallite‐silicon/oxide diodes / Applied Physics Letters 60(15):1827~1829
Yong-Jin Seo / 2001 / Transport through a nine period silicon/oxygen superlattice / Applied Physics Letters 79(6):788~790
Yong-Jin Seo / 2001 / Electronic and Optical Characteristics of Multilayer Nanocrystalline Silicon/Adsorbed Oxygen Superlattice / Japanese Journal of Applied Physics 40(Part 1, No. 8):4799~4801
Raphael Tsu / 1991 / Resonant tunneling in microcrystalline silicon quantum box diode / Proc. SPIE 1361:232
S. Y. Chou / 1992 / Steps and spikes in current‐voltage characteristics of oxide/microcrystallite‐silicon/oxide diodes / Applied Physics Letters 60(15):1827~1829
Yong-Jin Seo / 2001 / Transport through a nine period silicon/oxygen superlattice / Applied Physics Letters 79(6):788~790
Yong-Jin Seo / 2001 / Electronic and Optical Characteristics of Multilayer Nanocrystalline Silicon/Adsorbed Oxygen Superlattice / Japanese Journal of Applied Physics 40(Part 1, No. 8):4799~4801
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