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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제12권 제3호
발행연도
2011.1
수록면
93 - 97 (5page)

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In this paper, we discuss design considerations for an n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with a lateral asymmetric channel (LAC) doping profile. We employed a 0.35 μm standard complementary MOSFET process for fabrication of the devices. The gates to the LAC doping overlap lengths were 0.5, 1.0, and 1.5μm. The drain current (I_(ON)), transconductance (g_(m)), substrate current (I_(SUB)), drain to source leakage current (I_(OFF)), and channel-hot-electron (CHE) reliability characteristics were taken into account for optimum device design. The LAC devices with shorter overlap lengths demonstrated improved I_(ON) and g_m characteristics. On the other hand, the LAC devices with longer overlap lengths demonstrated improved CHE degradation and I_(OFF) characteristics.
#Metal?oxide?semiconductor field-effect transistor #lateral asymmetric channel doping #transconductance #on-state drain current #channel-hot-carrier degradation

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