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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제10권 제3호
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 80 - 84 (5page)
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The microstructure, voltage-current, capacitance-voltage, and dielectric characteristics of CCT doped Zn/Pr-based varistors were investigated at different sintering temperatures. As the sintering temperature increased, the average grain size increased from 4.3 to 5.1 μm and the sintered density was saturated at 5.81 gcm-3. As the sintering temperature increased, the breakdown field decreased from 7,532 to 5,882 Vcm-1 and the nonlinear coefficient decreased from 46 to 34. As the sintering temperature increased, the donor density, density of interface states, and barrier height decreased in the range of (9.06-7.24)1017 cm-3, (3.05-2.56)1012 cm-2, and 1.1-0.95 eV, respectively. The dielectric constant exhibited relatively low value in the range of 529.1-610.3, whereas the tan exhibited a high value in the range of 0.0910-0.1053.
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