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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제1호
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 12 - 15 (4page)
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We present the structural, magnetic, and electrical properties in the (Al,Mn)N films with various Mn concentrations grown by plasma-enhanced molecular beam epitaxy. X-ray diffraction analyses reveal that the (Al,Mn)N films have the wurtzite structure without secondary phases. All (Al,Mn)N films showed the ferromagnetic ordering. Particularly, (Al1-x Mnx)N film with x = 0.028 exhibited the highest magnetic moment per Mn atom at room temperature. Since all the films exhibit the insulating characteristics, the origin of ferromagnetism in (Al,Mn)N might be attributed to either indirect exchange interaction caused by virtual electron excitations from Mn acceptor level to the valence band within the samples or a percolation of bound magnetic polarons arisen from exchange interaction of localized carriers with magnetic impurities in a low carrier density regime.
목차
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/ 1986. / Carrier-concentrationinduced ferromagne-tism in PbSnMnTe 56 : 777 ~
/ 1990. / Electronic analog of the electro-optic modulator : 665 ~
/ 1998. / Making nonmagnetic semiconductors ferromagnetic 281 (5379) : 951 ~
/ 1999. / Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure 402 (6763) : 790 ~
/ 1999. / Properties of ferromagnetic IIIV semiconductors 200 (1) : 110 ~
/ 1990. / Electronic analog of the electro-optic modulator : 665 ~
/ 1998. / Making nonmagnetic semiconductors ferromagnetic 281 (5379) : 951 ~
/ 1999. / Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure 402 (6763) : 790 ~
/ 1999. / Properties of ferromagnetic IIIV semiconductors 200 (1) : 110 ~
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