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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 422 - 425 (4page)
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In this study, the AZO thin films were prepared as a function of oxygen gas flow ratio at room temperature by FTS(Facing Targets Sputtering) apparatus using Zn:Al(metal)-Zn:Al(metal) or Zn(metla)-ZnO:Al(ceramic). The film thickness, crystalline and electric properties of AZO thin film was evaluated by α-step, XRD and 4-point probe. In the results, the resistivity of AZO thin film was shown the lowest value about 8×10-2 Ω-cm(Zn:Al-Zn:Al), 3×10-1 Ω-cm(Zn-ZnO:Al) at the oxygen gas flow ratio 0.3. And the AZO thin film has good crystalline at oxygen gas flow ration 0.4, using Zn:Al-Zn:Al targets.
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/ 1979. / Optical properties of single-crystalline ZnO smoothly chemical vapor deposited on im- mediately sputtered thin ZnO film on sapphire 50 : 3113 ~
/ 1981. / Piezoelectric ZnO transducers produced by r.f. magnetron sputtering 80 : 183 ~
/ 1992. / Thin film of high-resistivity zinc oxide produced by a modified CVD method 213 : 94 ~
/ 1998. / 대향타겟식 스퍼터링에 의한 Co-Cr 박막의 제작 11 (5) : 418 ~
/ 2000. / Influence of oxygen partial pressure on transparency and conductivity of RF sput- tered Al-doped ZnO thin film 157 : 47 ~
/ 1981. / Piezoelectric ZnO transducers produced by r.f. magnetron sputtering 80 : 183 ~
/ 1992. / Thin film of high-resistivity zinc oxide produced by a modified CVD method 213 : 94 ~
/ 1998. / 대향타겟식 스퍼터링에 의한 Co-Cr 박막의 제작 11 (5) : 418 ~
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