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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제27권 제8호
발행연도
2014.1
수록면
491 - 496 (6page)

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Ti/Ag NCs/Ge0.5Se0.5/Pt 구조의 비정질 Ge0.5Se0.5 ReRAM의 resistive switching 특성에 대하여 기술하였다. 전도성 필라멘트 형성의 금속 이온원인 Ag nanocrystals (NCs)는 active layer인 Ge0.5Se0.5 박막 위에 spin-coating법을 이용하여 형성하였다. 제안된 구조의 ReRAM 소자는 기존의 Ag/GeSe/Pt 구조의 소자보다 resistive switching 특성의 뛰어난 uniformity를 나타내었다. 또한, 100회 이상의 안정적인 DC cycle과 10,000 sec 이상의 retention time을 확보하여 차세비 비휘발성 소자 구조로서의 가능성을 확인하였다.
#ReRAM #Resistance switching #Chalcogenide #Solid-electrolyte #Nanocrystal

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C. Y. Lin / 2009 / / IEEE Electron Devices Lett. 30 : 1335 ~ google schola D. Wang / 2011 / / Appl. Phys. Lett. 98 : 243109 ~ google schola G. I. Meijer / 2008 / / Science 319 : 1625 ~ google schola H. H. Lee / 2005 / / Nanotechnology 16 : 2436 ~ google schola J. Yoon / 2009 / / IEEE Electron Lett. 30 : 457 ~ google schola

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