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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 389 - 393 (5page)
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얇은 금속 박막을 이용한 쇼트키 소자를 제작하였으며, 효과적인 광전소자로서의 성능을 검증하였다. 10 nm 정도의 얇은 두께의 금속을 한면이 연마된 n-type 실리콘 (111) 증착하였으며, 실리콘 기판은 450∼500 ㎛ 두께를 가지며, 비저항은 1∼20 Ω·㎝의 범위에 있다. Ni-쇼트키 소자는 정류율이 100에 이를 정도로 우수한 다이오드 특성을 보였다. 이러한 금속과 반도체의 이종접합을 이용한 쇼트키 소자는 고성능 광전소자에 쓰일 수 있을 것으로 판단된다.
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참고문헌 (7)
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C. Y. Liu / 2010 / / Nanoscale Research Letters 5 : 1253 ~
D. Macdonald / 2009 / / J. Appl. Phys. 105 : 093704 ~
D. Zadeh / 2013 / Characterization of Metal Schottky Junction for InGaAs Substrate Characterization of Metal Schottky Junction for InGaAs Substrate
M. Soylu / 2011 / / Thin Solid Films 519 : 1950 ~
S. H. Hong / 2013 / / Appl. Phys. Lett. 103 : 153504 ~
D. Macdonald / 2009 / / J. Appl. Phys. 105 : 093704 ~
D. Zadeh / 2013 / Characterization of Metal Schottky Junction for InGaAs Substrate Characterization of Metal Schottky Junction for InGaAs Substrate
M. Soylu / 2011 / / Thin Solid Films 519 : 1950 ~
S. H. Hong / 2013 / / Appl. Phys. Lett. 103 : 153504 ~
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