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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제27권 제2호
발행연도
2014.1
수록면
71 - 75 (5page)

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결합구조의 수준에 따른 산화물반도체의 광학적 특성을 관찰하기 위해서 SiOC, ZnO와 IGZO 물질을 RF 스퍼터링과 CVD 방법으로 제작하였다. 일반적으로 결정질 ZnO과 비정질의 SiOC와 IGZO박막은 이종박막 사이의 계면에서 발생하는 산소 공공이온에 기인한 전기화학적이 작용에 따라서 광학적 특성이 달라진다. 산소 공공에 의한 홀과 전자의 재결합에 기인한 전하 케리어들의 농도가 감소하기 때문에 비정질의 SiOC와 IGZO의 투과도는 결정질의 ZnO 보다 높았다. 또한 에너지 갭 또한 비정질의 SiOC와 IGZO가 결정질의 ZnO 박막보다 높았다. 홀에 의한 확산 이동도가 전자에 의한 drift 이동도보다 크기 때문이다.

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