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Atom Probe Tomography는 원자 수준의 분해능으로 원소의위치 및 조성 정보를 3차원으로 제공해 주는 분석 장비이다.
APT의 우수한 성능에도 불구하고 반도체 등, 저전도성 물질 분석에는 그 동안 적용이 어려웠다. 그러나 특정 시료 내 위치의시편을 가공할 수 있는 FIB 시편 제조법과 laser펄스를 이용한전계증발법의 개발로 APT의 분석 영역이 반도체에서 절연체까지 크게 확대 되고 있다. 본 논문에서는 최근에 적용되기 시작한MOS-FET, GaN LED, Si-Nanowire 등 전자소자에서의 APT분석응용사례에 대하여 살펴보았다.
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참고문헌 (28)
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Bennett SE / 2010 / Atom probe extended to AlGaN: threedimensional imaging of a Mg-doped AlGaN/GaN superlattice / Phys Status Solidi C 7 : 1781 ~ 1783
Brindos R / 1999 / Effect of arsenic doping on (311) defect dissolution in silicon / Appl Phys Lett 75 : 229 ~ 231
Cottrell H / 1949 / Distribution of solute atoms round a slow dislocation / Proc Phys Soc London Ser A 199 : 104 ~ 114
Deb P / 2006 / GaN nanorod schottky and p-n junction diodes / Nano lett 6 : 2893 ~ 2898
Deepak FL / 2011 / Direct imaging and identification of individual dopant atoms in MoS2 and WS2 catalysts by aberration corrected scanning transmission electron microscopy /
Brindos R / 1999 / Effect of arsenic doping on (311) defect dissolution in silicon / Appl Phys Lett 75 : 229 ~ 231
Cottrell H / 1949 / Distribution of solute atoms round a slow dislocation / Proc Phys Soc London Ser A 199 : 104 ~ 114
Deb P / 2006 / GaN nanorod schottky and p-n junction diodes / Nano lett 6 : 2893 ~ 2898
Deepak FL / 2011 / Direct imaging and identification of individual dopant atoms in MoS2 and WS2 catalysts by aberration corrected scanning transmission electron microscopy /
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