산화물반도체 박막트랜지스터 제작 및 전기적 특성 분석

이상렬

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이상렬

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제26권 제4호

발행연도: 2013.1

수록면: 275 - 277 (3page)

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SZTO 채널로 구성된 박막트랜지스터를 용액공정기법으로 제작하였다. Vth가 채널의 Si이 증가하면서 야의 방향으로 천이되는 것을 관찰하였다. Si이 산소공공억제를 통한 캐리어 감소제로서 역할을 하였으며 이에 따라 Vth 제어역할을 수행하게 되었음이 관찰되었다.

#Solution-process #Transistor #Threshold voltage shift #Oxide semiconductor

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B. D. Ahn / 2008 / / Thin Solid Films 516 : 1382 ~

E. Fortunato / 2006 / / Thin Solid Film 502 : 104 ~

E. Fortunato / 2006 / / Thin Solid Films 502 : 104 ~

G. H. Kim / 2010 / / Appl. Phys. Lett 96 : 163506 ~

J. P. Chang / 2001 / / J. Vac. Sci. Technol. B 19 : 2137 ~

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이상렬

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주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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