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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제26권 제3호
발행연도
2013.1
수록면
177 - 182 (6page)

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N+ 실리콘웨이퍼 위에 SiO2, Si3N4, Al2O3를 각각 게이트절연층으로 기른 후 투명박막트랜지스터 (TTFT)를 제조하였다. 활성층으로는 산화물반도체인 ZnO-SnO2(ZTO)막을 고주파 스퍼터링하여 사용하였다. 실리콘웨이퍼를 습식산화시켜 SiO2를 길렀으며, Si3N4 및 Al2O3는 각각 PECVD 및 ALD로 증착하였다. ZTO TTFT의 전달 특성을 측정하여 이동도, 전류비 (Ion/Ioff), SS (subthreshold swing)를 구하였다. TTFT의 특성 비교를 통하여 각 게이트절연층의 특성을 분석하였다. 시간이 경과함에 따른 TTFT의 특성 변화를 측정하였다.
#Transparent thin film transistors #Zinc tin oxide #Gate insulators #Mobility #Sunthreshold swing

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