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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.1
- 수록면
- 811 - 816 (6page)
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GaN계 LED를 대체하기 위한 연구의 일환으로 ZnO를 활용한 LED 제작에 대한 연구를 수행하였다. 대면적, 저온 성장이 가능한 RF 스퍼터 시스템을 사용하여 ZnO 및 MgxZn1-xO 박막의 증착하여 특성 분석을 하였으며 Multi-layer 구조의 LED를 제작하였다. Co-sputtering 법을 통한 MgxZn1-xO 박막 증착 시 인가한 ZnO 타겟에 인가되는 파워가 증가할수록 Mg 함량이 감소함을 알 수 있었다. ZnO 100 W, MgO 100 W의 RF power를 인가하여 증착된 박막은 Mg0.1Zn0.9O의 조성을 나타내었다. 제작된 n-ZnO/MgZnO/p-GaN Multi-Layer LED의 문턱전압은 8 V이며 380 nm 근처의 UV, 450 nm의 청색, 550 nm 근처의 녹색 발광 피크를 나타내었다.
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