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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제7호
발행연도
2016.1
수록면
435 - 439 (5page)

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본 연구에서는 기존의 은 나노와이어 패터닝 공정의 문제점을 해결하기 위해 은 나노와이어 식각공정이 필요 없는 패터닝 기술을 개발하였다. 은 나노와이어 패터닝을 위해 패턴닝된 SU-8 구조층을 형성하였고 SU-8층을 선택적으로 기판으로부터 제거하여 은 나노와이어 패턴을 형성할 수 있었다. SU-8층을 선택적으로 제거할 때 은 나노와이어의 손상을 방지하기 위해 물에 용해 가능한 GeOx를 희생층으로 사용하였다. 패터닝 된 SU-8의 다양한 단차 및 폭이 은 나노와이어의 패터닝 특성에 미치는 영향을 관찰하였고, 수직으로 형성된 SU-8 패턴에 의해 모든 조건에서 다양한 간격의 은 나노와이어의 패턴을 형성할 수 있었다.
#Ag nanowire #Sacrificial layer #Germanium oxide #SU-8

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J. A. Jeong / 2014 / Sol. Energ. Mat. Sol. C 125:113 Crossref Y. H. Kim / 2013 / Adv. Funct. Mater. 23:3763 Crossref S. Jung / 2014 / Adv. Energy. Mater 4:1300474 google schola X. Zhang / 2016 / Sol. Energ. Mat. Sol. C. 244:143 Crossref A. Catheline / 2015 / Transparent electrodes made from carbon nanotube polyelectrolytes and application to acidic environments / J. Mater. Res 30:2009 Crossref

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