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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 321 - 326 (6page)
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결정질 실리콘 태양전지의 고효율 달성을 위해서는 표면 패시베이션을 통한 캐리어 재결합 및 전기적 손실에서 오는 효율 감소를 최소화 하는 것이 중요하다. 일반적으로 실리콘 질화막 (SiNX), 실리콘 산화막 (SiO2), 실리콘 질화산화막 (SiONX), 알루미나 (AlOX)와 같은 종류의 막들이 표면 패시베이션 막으로 사용되고 있으며, 그 중 실리콘 산화막은 실리콘을 기반으로 하는 태양전지 분야에서 우수한 패시베이션 효과와 더불어 캐리어의 터널링을 통한 선택적 캐리어 수집이 우수하고, 열 안정성이 뛰어나다는 장점을 가지고 있다. 최근에는 실리콘 산화막의 패시베이션 및 터널링 특성을 최적화 하여 HIT, TOPCon, TRIEX 구조와 같은 고효율 결정질 실리콘 태양전지 구조에 적용되고 있다. 본 논문에서는 실리콘 산화막 성장법과 실리콘 태양전지에서의 패시베이션 효과에 중점을 두었다.
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