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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 594 - 599 (6page)
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In this paper, we report the properties of Mo metal employed as PMOS gate electrode. Mo on SiO2 was observed to be stable up to 900 ℃ by analyzing the interface with XRD. C-V measurement was performed on the fabricated MOS capacitor with Mo gate on SiO2. The stability of EOT and work-function was verified by comparing the C-V curves measured before and after annealing at 600, 700, 800, and 900 ℃. C-V hysteresis curve was performed to identify the effect of fixed charge. Gate-injection and substrate-injection of carrier were performed to study the characteristics of Mo-SiO2 and SiO2-Si interface. Sheet resistance of Mo metal gate obtained from 4-point probe was less than 10 Ω/□ that was much lower than that of polysilicon.
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/ 1997. / SRC working paper
/ 2000. / Dual-metal gate technology for deep-submicron CMOS tran- sistors : 72 ~
/ 2000. / Problems and solutions for downsizing CMOS below 0.1 ㎛ : 11 ~
/ 2001. / Electrical characteris- tics of TaSixNy gate electrodes : 47 ~
/ 2001. / High-k gate dielectrics: Current status and materials properties considera-tions 89 : 5243 ~
/ 2000. / Dual-metal gate technology for deep-submicron CMOS tran- sistors : 72 ~
/ 2000. / Problems and solutions for downsizing CMOS below 0.1 ㎛ : 11 ~
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