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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 1,014 - 1,018 (5page)
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The purpose of this study is to obtain strong bond strength at the interface between piezoelectric substrates and semiconductor thin films to be applied for the manufacture of high-performance acoustic wave semiconductor coupled device. For this purpose, we have compared and examined the effects of different surface treatment methods on hydrophile properties at the surface of the piezoelectric substrates. Moreover, we have observed the effect of microwave and laser on the elimination of water molecules at the interface. As for the piezoelectric substrates, dry method for surface treatment was found to be superior in the control of hydrophilicity of the surface compared to wet method. On the other hand, both microwave and laser were found to be effective in the elimination of water molecules in the interface.
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/ 1995. / Study on surface acoustic wave devices for a pulse position modulated direct sequence spread spectrum communi- cation system 34 : 2683 ~
/ 1999. / Charge conveyance and nonlinear acoustoelectric phenomena for intense surface acoustic waves on a semiconductor quantum well 82 : 2171 ~
/ 1999. / Semiconductor wafer bonding
/ 2000. / Fabrication of surface acoustic wave-semiconductor coupled devices using epitaxial lift-off technology 39 : 3666 ~
/ 2000. / Fabrication of surface acoustic wave-semiconductor coupled dvices using epitaxial lift-off technology 39 : 3666 ~
/ 1999. / Charge conveyance and nonlinear acoustoelectric phenomena for intense surface acoustic waves on a semiconductor quantum well 82 : 2171 ~
/ 1999. / Semiconductor wafer bonding
/ 2000. / Fabrication of surface acoustic wave-semiconductor coupled devices using epitaxial lift-off technology 39 : 3666 ~
/ 2000. / Fabrication of surface acoustic wave-semiconductor coupled dvices using epitaxial lift-off technology 39 : 3666 ~
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