메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색

초록· 키워드

오류제보하기
We have studied on the effect of the operation voltage according to the reverse twist for the different fringe field switching (FFS) structure. The FFS structure with a vertically patterned edge of the pixel electrode (VPP) has lower operation voltage comparing to the one with a horizontally patterned edge of the pixel electrode (HPP). The reason is like that the number of the pattern of the pixel edge for the VPP structure is one third comparing with the HPP structure and thus, there is small reverse twist area for the VPP structure. Actually, the reverse twist disturbs the twist of LC near adjacent active area, result that LCs near there have the unstable dynamics. That is, the operation voltage increases as the reverse twist area increases. Therefore, it is very important to design pixel electrode with a small reverse twist region for the FFS mode.

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (7)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0