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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제14권 제6호
발행연도
2013.1
수록면
312 - 316 (5page)

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In this study, short-circuit preventive layer (blocking layer) was deposited between conductive transparent electrode and porous TiO2 film in the DSSCs. As blocking layer, we selected the metal-oxide such as TiO2, Nb2O5 and ZnO. The sheet resistance with each different blocking layers were 18 Ω/sq. for the TiO2, 10 Ω/sq. for the Nb2O5 and 8 Ω/sq. for the ZnO, while the RMS (Root Mean Square) roughness value of DSSCs were 39.61 nm for the TiO2, 41.84 nm for the Nb2O5 and 36.14 nm for the ZnO respectively. From the results of photocurrent-voltage curves, a sputtered Nb2O5 blocking layer showed higher performance on 2.64% of photo-electrochemical properties. The maximum of conversion efficiency which was achieved under 1 sun irradiation by depositing the blocking layer increased up to 0.56%.
#Dye-sensitized solar cells #Blocking layer #TiO2 #Nb2O5 #ZnO

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