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논문 기본 정보

자료유형
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저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제12권 제5호
발행연도
2011.1
수록면
200 - 203 (4page)

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In this research, nitrogen (N)-doped zinc oxide (ZnO) thin films have been grown on a sapphire substrate by dielectric barrier discharge (DBD) in pulsed laser deposition (PLD). DBD has been used as an effective way for massive in-situ generation of N-plasma under conventional PLD process conditions. Low-temperature photoluminescence spectra of N-doped ZnO thin films provided near-band-edge emission after a thermal annealing process. The emission peak was resolved by Gaussian fitting and showed a dominant acceptor-bound excitation peak (A^0X) that indicated acceptor doping of ZnO with N. The acceptor binding energy of the N acceptor was estimated to be approximately 145 MeV based on the results of temperature-dependent photoluminescence (PL) measurements.
#Nitrogen-doped zinc oxide #Dielectric barrier discharge #Pulsed laser deposition #Photoluminescence #Acceptor binding energy

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A . Zunger / 2003 / / Appl. Phys. Lett 83 : 57 ~ google schola A. F. Kohan / 2000 / / Phys. Rev. B 61 : 15019 ~ google schola A. Tsukazaki / 2005 / / Nat Mater 4 : 42 ~ google schola B. P. Zhang / 2004 / / Appl. Phys. Lett 84 : 586 ~ google schola C. G. Van de Walle / 2000 / / Phys. Rev. Lett 85 : 1012 ~ google schola

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