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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 317 - 321 (5page)
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수열합성법에 의해 ZnO 나노와이어를 성장시키는 경우 공정온도가 낮아서 기판 선택이 자유로우므로 다양한 기능성 전자소자의 제작에 적용 가능한 장점이 있으나, 그 성장 속도가 비교적 느린 단점이 있다. 본 논문에서는 수열합성 공정 중 양극성 및 음극성의 DC 바이어스를 각각 0.5 [V]로 인가하고 전기전도성이 우수한 AZO 박막을 촉매층으로 하여 ZnO 나노와이어를 성장시켰다. 바이어스를 인가하지 않은 경우와 바이어스를 인가한 수열합성법에 의해 2∼8 [h] 동안 성장된 ZnO 나노와이어를 각각 FE-SEM 분석으로 그 성장 특성을 비교하였다. 성장된 ZnO 나노와이어의 물성은 PL 분석을 통해 조사하였다. 양극성의 외부바이어스를 인가할 경우 수열합성법에 의한 ZnO 나노와이어의 성장 특성이 현저히 개선되었으며, 성장된 ZnO 나노와이어는 PL 분석 결과 전형적인 ZnO의 물성을 보였다.
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