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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.1
- 수록면
- 677 - 681 (5page)
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액정 배향 공정을 간소화시키기 위하여 러빙 법, 이온빔 조사 법, UV 조사 법 등 몇몇 방법이 사용되어져 왔으나 이러한 배향 법 또한 추가 공정을 필요로 한다. 이에 저온에서 Si을 사용하여 액정을 배향시키는 신규 배향 방법을 고안하였다. 이 배향 법을 이용하여 배향 공정을 간소화 시킬 수 있었고, 러빙 처리한 PI 배향법과 비교하여 동등한 수준의 액정 배향 상태와 전압 투과율 특성을 확인하였다. 또한 러빙 처리한 PI 배향 법 보다 70% 이상 빠른 응답 특성과 0에 가까운 잔류 DC 전압을 구현하였다.
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