메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색

초록· 키워드

오류제보하기
Presented herein are the results of the study that was conducted on the electrical characteristics of organic field-effect transistors based on poly(3-hexylthiophene), particularly the thickness and annealing temperature of their active layer is varied. The changes in field-effect mobility and current on/off ratio were explored. It was observed that both increasing annealing temperature from 60℃ to 100℃ and various concentrations influence the trade-off relations between the mobility and current on/off ratio. The surface morphology of the 2-μm2 area with various thicknesses was scanned via atomic-forcemicroscopy(AFM) to verify the relationship between surface morphology, which is related to the thickness of the film, and device performance.

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (17)

참고문헌 신청

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0