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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제25권 제1호
발행연도
2012.1
수록면
1 - 5 (5page)

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본 논문에서는, MIM 구조를 갖는 Al2O3/HfO2/Al2O3 캐패시터의 정합특성을 분석하였다. The floating gate capacitance measurement technique method (FGMT) 방법을 이용하여 AHA MIM 캐패시터의 정합특성을 분석하였다. AHA구조의 MIM 캐패시터의 다양한 면적에서 정합특성 계수를 구한 결과 0.331%um을 얻었다. 이 결과는 AHA MIM 캐패시터가 다른 MIM 캐패시터들보다 좋은 정합특성 계수를 가지는 것을 말해준다. 또한, AHA MIM 캐패시터의폭과 높이의 정합특성의 의존성에 대해 분석을 하였다. 그 결과, 아날로그/RF 회로에서 캐패시터를 폭을 고정시키고 높이를 변화시켜가며 설계하면 AHA MIM 캐패시터의 정합특성이 개선되는 것을 확인하였다.
#High-k #MIM #FGMT #Mismatching #Matching #AHA

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참고문헌 (16)

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C. Kortekaas / 1990 / / IEEE Int. Conf. Microelectronic Test Structures 3 : 109 ~ google schola H. Hu / 2003 / / IEEE Electron Device Lett 24 : 60 ~ google schola H. M . Kwon / 2011 / / Jpn. J. Appl. Phys 50 : 04DD02 ~ google schola H. P. Tuinhout / 1994 / / IEEE Int. Conf. Microelectronic Test Structures 7 : 21 ~ google schola H. P. Tuinhout / 1996 / / IEEE Trans. Semiconsuctor Manufacuring 9 : 2 ~ google schola

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