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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제25권 제1호
발행연도
2012.1
수록면
33 - 36 (4page)

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본 연구에서 고성능의 pH 센서 제작을 위해 Al2O3 두께에 따른 SiO2/Al2O3 (OA) 적층 감지막의 감지감도 평가가 EIS 구조에서 평가되었다. 5 nm의 SiO2 산화물에 Al2O3 감지막을 각각 5 nm, 15 nm, 23 nm, 50 nm, 100 nm를 적층하였다. OA 감지막의 전기적인 특성 평가와 감지감도 특성은 MIS (metal-insulator-semiconductor), EIS (electrolyte-insulator-semiconductor) 소자를 이용하여 측정하였다. 그 결과 23 nm의 Al2O3를 감지막으로 갖는 OA 적층구조에서 훌륭한 EIS 센서의 감지감도특성을 나타내었고, 향상된 신호 대 잡음비를 보였다.

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