비정질 실리콘 TFT의 광누설 전류에 Backlight 광원의 광학적 특성이 미치는 영향에 대한 연구

임승혁; 권상직; 조의식

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자료유형: 학술저널

저자정보: 임승혁 권상직 조의식

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제9호

발행연도: 2008.1

수록면: 844 - 847 (4page)

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The photo leakage currents of a conventional hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) thin film transistor(TFT) were investigated and analyzed in case of illumination from various light sources such as halogen lamp, cold cathode fluorescent lamp(CCFL) backlight, and white light emitting diode(LED) backlight. The photo leakage characteristics showed the apparent differences in the leakage level and in the Ion/Ioff ratio in spite of the similar luminances of light sources. This leakage level is expected to be related to the wavelength of the lowest intensity peak from the spectral characteristics of light sources.

#Backlight system #Photo leakage current #Spectral characteristics

참고문헌 (6)

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E.S. Yang / 1994 / Microelectronics Devices / MaGraw-Hill : 357 ~

J.H. Choi / 1998 / A novel thin film transistor using double amorphous silicon activelayer / IEEE ED 45 (9) : 2074 ~

J.I. Ryu / 2000 / High performance a-Si TFT with ITO/n+ ohmic layer using a Ni- silicide / J. Non-Cryst. Solids 266-269 : 1310 ~

J.K. Yoon / 1993 / Voltage dependence of off current in a-Si:H TFT under backlight illumination / J. Non- CtystSolids 164-166 : 747 ~

K.W. Kim / 2000 / Performance improvement of polycrystalline thin-film transistor by adopting a very thin amorphous silicon buffer / J. Non-Cryst. Solids 266-269 : 1265 ~

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