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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 699 - 705 (7page)
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Capacitance versus voltage (C-V) characteristics of Ge-nanocrystal (NC)-embedded metal-oxide- semiconductor (MOS) capacitors with HfO₂ gate material were investigated in this work. The current versus voltage (I-V) curves obtained from Ge-NC-embedded MOS capacitors fabricated with the NH3 annealed HfO₂ gate material reveal the reduction of leakage current, compared with those of MOS capacitors fabricated with the O₂ annealed HfO₂ gate material. The C-V curves of the Ge-NC-embedded MOS capacitor with HfO₂ gate material annealed in NH₃ ambient exhibit counterclockwise hysteresis loop of about 3.45 V memory window when bias voltage was varied from -10 to + 10 V. The observed hysteresis loop indicates the presence of charge storages in the Ge NCs caused by the Fowler-Nordheim (F-N) tunneling. In addition, capacitance versus time characteristics of Ge-NC-embedded MOS capacitors with HfO₂ gate material were analyzed to investigate their retention property.
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A. Callegari / 2001 / Physical and electrical characterization of Hafnium oxide and Hafnium silicate sputtered films / J. Appl. Phys 90 : 6466 ~
A. Callegari / 2004 / Interface engineering for enhanced electron mobilities in W/HfO2 gate stacks / IEDM Tech. Dig : 825 ~
D.W. Kim / 2003 / Memory characterization of SiGe Quantum dot flash memories with HfO2 and SiO2 tunneling dielectrics / IEEE transactions on electron devices 50 (9) : 1823 ~
G.D. Wilk / 2001 / High-k gate dielectrics:Current status and materials properties considerations / J. Appl. Phys 89 (10) : 5243 ~
H. Takeuchi / 2004 / Observation of bulk HfO2 defects by spectroscopic ellipsometry / J. Vac. Sci. Technol 22 (4) : 1337 ~
A. Callegari / 2004 / Interface engineering for enhanced electron mobilities in W/HfO2 gate stacks / IEDM Tech. Dig : 825 ~
D.W. Kim / 2003 / Memory characterization of SiGe Quantum dot flash memories with HfO2 and SiO2 tunneling dielectrics / IEEE transactions on electron devices 50 (9) : 1823 ~
G.D. Wilk / 2001 / High-k gate dielectrics:Current status and materials properties considerations / J. Appl. Phys 89 (10) : 5243 ~
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