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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.1
- 수록면
- 446 - 450 (5page)
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본 연구에서는 가스소스 분자선애피택시 방법을 통해 원료공급 비에 따른 성장률 및 결정성의 변화를 관찰하였다. 성장률은 질소과잉 조건에서 주입 조건에 따라 520 nm/h에서 440 nm/h로 변화하였다. 이는 성장면상에 다량의 암모니아 주입에 따라 수소 공급이 증가하며, 이렇게 발생된 수소와 갈륨의 반응에 의하여 성장에 관여하는 갈륨 유효공급량 감소됨으로 나타나는 결과로 판단된다. 질소과잉 조건은 고에너지전자회절(RHEED) 방법으로 확인하였으며, 박막의 결정성과 표면형상은 X선회절(XRD), 광루미너선스(PL) 및 원자력간현미경(AFM)을 통하여 분석하였다.
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