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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제26권 제6호
발행연도
2013.1
수록면
441 - 445 (5page)

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본 연구에서는 4H-SiC의 a-, c-, m-면방향에 따른 300℃에서의 CO 가스에 대한 감도를 측정하여 감도 특성 개선을 위한 연구를 수행하고, 분석 검토하였다. ZnO 나노선은 SiC 기판 위에 고온퍼니스를 이용하여 성장시켰으며, 전극은 Ti/Au 를 사용하였다. 형성된 ZnO 나노선의 특성은 FE-SEM (field emission scanning electron mmicroscope), PL (photoluminescence)과 AFM (atomic force microscope)을 이용하여 분석하였다. FE-SEM 이미지를 통해 a-면방향 의 나노선 밀도가 가장 높으며, c-, m-면방향 순으로 밀도가 높게 나타남을 보았다. 기판 면방향에 따른 ZnO 나노선의 밀도가 다른 이유는 기판 표면의 에너지가 면방향에 따라 다르기 때문이라 판단된다. 센서의 감도는 31.67%, 19.68%, 6.04%으로 a-면방향 나노선/SiC 가스 센서의 감도가 c-, m-면방향 나노선/SiC 감도보다 높은 특성을 보여주었다. 본 연구를 통해 SiC 기판 면방향이 성장하는 나노선의 유효 두께 및 거칠기에 영향을 미치는 것을 확인 하였으며, 나노선/SiC 기반 고온 가스센서 소자 구조 최적화에 적용 가능할 것으로 판단된다.

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