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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제25권 제4호
발행연도
2012.1
수록면
304 - 308 (5page)

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고주파 스퍼터링한 ZnO-SnO2막을 활성층으로 하여 투명박막트랜지스터(TTFT)를 제조하였다. Zn와 Sn의 원자비가 2:1인 타겟을 사용하여 ZnO-SnO2막을 증착하였다. 인듐으로 소스 및 드레인 전극을 입히기 전에 ZnO-SnO2막을 200℃ 및 400℃에서 5분 간 열처리하여 TTFT의 특성에 미치는 후속 열처리의 영향을 조사하였다. ZnO-SnO2막의 저항률을 높이기 위해 스퍼터링 시 산소를 주입하였으며, 산소유량에 따른 TTFT의 특성변화를 조사하였다. 100 nm 두께의 SiO2 위에 100 nm의 Si3N4막을 기른 후 TTFT의 게이트 절연막으로 사용하였다. TTFT의 전달 특성을 통해 이동도, 작동전류-차단전류 비(Ion/Ioff), 계면상태밀도(Dit) 등을 구하였다.

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