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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 255 - 262 (8page)
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순수 실리콘 나노입자 표면에 형성된 SiOx 또는 C 껍질이 이들 나노입자들의 전기화학적 특성에 미치는 영향을 연구하였다. 미세구조 분석 임피던스와 같은 전기화학특성을 측정하였다. 순수 실리콘은 2517.59 mAh/g의 높은 초기가역효율(IRC)와 87.26 %의 높은 초기쿨롱효율(ICE)을 각각 나타내었지만, 21.83%의 낮은 용량유지율(CR)이 측정되었다. 이러한 순수 Si 나노입자 위에 SiOx 껍질이 있는 경우, IRC와 ICE는 각각 1533.7 mAh/g 및 53.97%로 각각 낮아졌지만, CR은 64.95%로 증가하였다. 이러한 결과는 모두 SiOx 껍질에 형성되는 Li2O와 Li2SiO3와 같은 비가역상들의 형성에 기인한다. 순수 Si나노입자표면의 C껍질은 54.18%으로 향상된 CR외에는 수수 Si과 큰 차이를 보이지 않았다. 이러한 결과는 C 껍질내에 존재하는 적절한 결함구조에 기인하는 것으로 추측된다.
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