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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제2호
발행연도
2016.1
수록면
95 - 100 (6page)

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우리는 Sn/Mo/SLG 박막을 이용하여 급속열처리(RTP; rapid thermal process)를 이용한 황화반응을 통해 SnS으로 제작하였으며, 열처리 온도 및 시간에 따른 박막 SnS 결정구조 및 물리특성을 연구하였다. 단원자 분말 황(S)이 열분해하여 Sn 전구체와 반응 후 SnS 화합물을 형성하였다. 반응 온도는 200℃에서 500℃까지 10분에서 40분까지 변화시켰으며, 300℃에서 20분 반응 시켰을 때 SnS박막이 가장 잘 형성할 수 있을 것으로 나타났다. XRD 분석에서 SnS [111]상이 관찰되었고, EDS 분석에서는 원자 조성비가 [S]/[Sn]≅1 으로 측정되었으며, UV-VIS 분광기를 이용한 밴드갭을 결정하였으며, Hall 측정을 통해 p-type SnS 박막을 확인하였다. 본 논문에서는 RTP 내부의 열처리 온도와 시간의 함수로서 SnS 박막 단일상 성장특성에 대한 상세결과를 보고한다.
#Tin sulfide #SnS) #Rapid thermal process #Sulfurization #Elemental sulfur #S) #Annealing temperature

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P. Jackson / 2015 / Phys. Status Solidi RRL 9:28 Crossref J. Gifford / PV magazine google schola C. Waida / 2009 / Environ. Sci. Technol 43:2072 Crossref M. A. Greeen / 2011 / Solar cell efficiency tables. Prog. Photovoltaics Res Appl 19:565 Crossref P. Sinsermsuksakul / 2014 / Adv. Energy Mat :1400496 google schola

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