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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제14권 제1호
발행연도
2013.1
수록면
47 - 51 (5page)

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A high power MOSFET switch based on a 0.35 μm CMOS process has been developed for the protection IC of a rechargeable battery. In this process, a vertical double diffused MOS (VDMOS) using 3 μm-thick epi-taxy layer is integrated with a Zener diode. The p-n+ Zener diode is fabricated on top of the VDMOS and used to protect the VDMOS from high voltage switching and electrostatic discharge voltage. A fully integrated digital circuit with power devices has also been developed for a rechargeable battery. The experiment indicates that both breakdown voltage and leakage current depend on the doping concentration of the Zener diode. The dependency of the breakdown voltage on doping concentration is in a trade-off relationship with that of the leakage current. The breakdown voltage is obtained to exceed 14 V and the leakage current is controlled under 0.5 μA. The proposed integrated module with the application of the power MOSFET indicates the high performance of the protection IC, where the overcharge delay time and detection voltage are controlled within 1.1 s and 4.2 V, respectively.
#Power MOSFET #Protection IC #Zener diode #Breakdown #Leakage

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A. S. Sedra / 2004 / Microelectronic Circuits / Oxford University Press : 167 ~ 170 google schola B. Smith / 2004 / Peripheral motor drive PIC concerns for integrated LDMOS technologies / Proc. ISPSD : 159 ~ 162 google schola D. H. Lu / 2005 / Integrated Bidirectional trench lateral power MOSFETs for one chip Lithiumion battery protection ICs / Proc. ISPSD : 355 ~ 358 google schola J. Barak / 2008 / A doublepower- MOSFET circuit for protection from single event burnout / IEEE Transactions on nuclear science 55 (6) : 3467 ~ 3472 google schola Jiann-Shiun Yuan / 2008 / Evaluation of Hot-Electron Effect on LDMOS Device and Circuit Performances / IEEE Transaction on Electron Devices 55 (6) : 1519 ~ 1523 google schola

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