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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제25권 제6호
발행연도
2012.1
수록면
439 - 444 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2012

광검출기 응용을 위하여 스퍼터된 미세결정 SiGe 박막성장 연구
김도영 ,  김선조 ,  김형준 외 2명 전기전자재료학회논문지 2012.01 학술저널

2011

IR 광검출기 응용을 위한 미세결정 SiGe 박막성장 연구
김도영 ,  김선조 ,  김형준 한국진공학회 학술발표회초록집 2011.08 학술대회자료

초록· 키워드

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본 연구에서는 광검출기의 활성층으로 사용하기 위한 SiGe을 Si target과 Ge target을 독립형 스퍼터링 방법으로 성장시키는 연구를 진행하였다. 각각의 target은 5N의 고순도 target을 사용하였으며 dc와 rf power를 플라즈마원으로 사용하였다. Ge target을 dc power로 스퍼터링하고 Si target을 rf power로 스퍼터링하는 경우 결정성이 우수한 Ge 박막이 성장됨을 raman 분광법과 X-ray 회절법으로 확인할 수 있었으나 SiGe 박막은 관찰되지 않았다. 그러나 SiGe 박막을 성장시키기 위하여 반대로 Ge target을 rf power로 스퍼터링하고 Si target을 dc power로 스퍼터링하는 경우 dc power를 증가시킴에 따라서 SiGe 박막이 형성됨을 raman 분광법으로 확인할 수 있었으며 dc power 75 W에서 (111)과 (220) 면을 가지는 미세결정질 SiGe 박막의 성장을 확인할 수 있었다.
#Microcrystalline SiGe #Sputtering #Raman spectroscopy #IR detector #Touch screen

목차

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참고문헌 (14)

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A. Abileah / 2004 / / SID Symposium Digest of Technical Papers 35 : 1544 ~ google schola A. Fedala / 2010 / / Phys. Status Solidi C7 : 762 ~ google schola C. T. Lee / 2007 / / Appl. Phys. Lett 91 : 091920 ~ google schola E. V. Jelenkovic / 1997 / / J. Vac. Sci. Technol A15 : 2936 ~ google schola I. Nakamura / 2006 / / Mater. Res. Soc. Symp. Proc 910 : 0910 ~ google schola

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