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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 450 - 456 (7page)
이용수
초록· 키워드
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In this paper, we report the changes of morphology, transmittance and photoluminescence (PL) in hydrogenated amorphous As40Ge10Se15S35 thin films, thermally deposited at the vapor incidence angles (θ) of 0o, 45o and 80o. The hydrogenation was carried out under the condition of a H2 pressure (PH) of 20 atm and an annealing temperature range, TAnneal of 150 oC∼210 oC. A columnar structures with an inclination angle of approximately 65∼70° was formed in 80°-deposited films and then the columnar was broken after hydrogenation. Transmittance increases with an increase of deposition angle and by the hydrogenation. In particular, a broad PL band on the extended region is observed in obliquely deposited films and it increases during the hydrogenation.
목차
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/ 1969. / Method of forming semiconductor materials and barriers using a dual enclosure apparatus 116 : 77 ~
/ 1976. / Optical Properties of Solids-New Development
/ 1979. / Electronic Processes in Non-Crystalline Materials
/ 1979. / Photo- induced optical anisotropy in chalcog enide vitreous semiconducting films 52 : 621 ~
/ 1980. / Photo- structural change in the Urbach tail in chalcogenide glasses 51 : 1773 ~
/ 1976. / Optical Properties of Solids-New Development
/ 1979. / Electronic Processes in Non-Crystalline Materials
/ 1979. / Photo- induced optical anisotropy in chalcog enide vitreous semiconducting films 52 : 621 ~
/ 1980. / Photo- structural change in the Urbach tail in chalcogenide glasses 51 : 1773 ~
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