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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제6권 제1호
발행연도
2005.1
수록면
25 - 28 (4page)

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We have investigated the effects of hole-injection buffer layer in organic light-emitting diodes using poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(stylenesulfonate)(PEDOT:PSS) in a device structure of ITO/PEDOT:PSS/TPD/Alq3/cathode. Polymer PEDOT:PSS buffer layer was made by spin casting method. Current-voltage, luminance-voltage characteristics and efficiency of device were measured at room temperature with a variation of cathode materials ; Al, LiF/Al, LiAl, and Ca/Al. The device with LiF/Al cathode shows an im-provement of external quantum efficiency approximately by a factor of ten compared to that of Al cathode only device. Our observation shows that cathode is important in improving the efficiency of the organic light-emitting diodes.

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