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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 687 - 692 (6page)
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HfO₂는 기존의 트랜지스터에 사용되고 있는 게이트 유전막을 대체할 수 있는 물질이다. HfO₂는 폴리실리콘과 접촉성이 높고 열적 특성이 우수하기 때문에 많은 연구가 진행되고 있으며, 또한 HF 용액으로 쉽게 식각되는 특성이 있다. 본 연구에서는 HfO₂및 thermal oxide 박막을 chemical 식각액을 사용하여 식각하였다. HfO₂및 thermal oxide 박막은 HF 농도 및 온도가 증가함에 따라 선형적으로 증가하는 경향을 나타내었지만, HF의 농도가 0.5% 이하일 때는 H^+, F^-, HF₂- 이온들로 인하여 thermal oxide 박막 대비 HfO₂박막의 식각율은 더 높게 나타내었다. 또한 식각 선택비는 첨가제로써 사용한 하이드라진을 첨가함에 따라 향상되는 특성을 나타내었다.
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