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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제1호
발행연도
2009.1
수록면
22 - 28 (7page)

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We investigated the sintering and electric properties of ZnO-1.0 at% TeO₂ (ZT1) and 1.0 at% Mn-doped ZT1(ZT1M1) system. TeO₂ itself melts at 732 ℃ in air but forms the ZnTeO₃ or Zn₂TeO₃ phase with ZnO as increasing temperature and therefore retards the densification of ZnO to 1000 ℃. In ZT1M1 system, also, the densification of ZnO was retarded up to 1000 ℃ and then reached > 90 % of theoretical density above 1100 ℃. It was found that a good varistor characteristics(nonlinear coefficient a∼60) were developed in ZT1M1 system sintered at 1100 ℃ due to Mn which known as improving the nonlinearity of ZnO varistors. The results of C-V characteristics such as barrier height (Φb), donor density (ND), depletion layer (W), and interface state density (Nt) in ZT1M1 ceramics were 1.8x1017 cm-3, 1.6 V, 93 nm, and 1.7x1012 cm-2, respectively. Also we measured the resistance and capacitance of grain boundaries with temperature using impedance and electric modulus spectroscopy. It will be discussed about the stability and homogeneity of grain boundaries using distribution parameter (α) simulated with the Z(T)"-logf plots.

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