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자료유형
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제13권 제1호
발행연도
2012.1
수록면
47 - 49 (3page)

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In this paper, we investigated the anomalous hump in the bottom gate staggered a-IGZO TFTs. During the positive bias stress, a positive threshold voltage shift was observed in the transfer curve and an anomalous hump occurred as the stress time increased. The hump became more serious in higher gate bias stress while it was not observed under the negative bias stress. The analysis of constant gate bias stress indicated that the anomalous hump was influenced by the migration of positively charged mobile interstitial zinc ion towards the top side of the a-IGZO channel layer.
#IGZO #Anomalous hump #Bias stress #NBS #PBS #Thin film transistor #TFT)

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