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- 학술저널
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- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제3호
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 113 - 119 (7page)
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Structural and optical properties of as-synthesized, Ga2O3-coated, and Al2O3-coated GaN nanowires are examined in this paper. GaN nanowires were synthesized by thermal evaporation of ball-milled GaN powders in an NH3 atmosphere. The thermal annealing of the as-synthesized GaN nanowires in an argon atmosphere allows their surfaces to be oxidized, leading to the formation of 2nm-thick Ga2O3 layers. For the oxidized GaN nanowires, the distances between the neighboring lattice planes are shortened, and an excitonic emission band is remarkably enhanced in intensity, compared with the as-synthesized GaN nanowires. In addition, the as-synthesized GaN nanowires were coated cylindrically with Al2O3 by atomic layer deposition technique. Our study suggests that the Al2O3-coating passivates some of surface states in the GaN nanowires.
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/ 1986. / Preparation of alumina coatings by chemical vapour deposition 138 : 49 ~
/ 1997. / Characterization of interface electronic properties of low-temperature ultrathin oxides and oxynitrides formed on Si surfaces by contactless capacitance-voltage an
/ 1997. / Substrate dependence on the optical properties of Al2O3 films grown by atomic layer deposition 71 : 3604 ~
/ 1997. / X-ray photoelectron spectroscopy and x-ray diffraction study of the thermal oxide on gallium nitride 70 : 2156 ~
/ 1998. / Visible blind GaN p-i-n Photodiodes 72 : 3303 ~
/ 1997. / Characterization of interface electronic properties of low-temperature ultrathin oxides and oxynitrides formed on Si surfaces by contactless capacitance-voltage an
/ 1997. / Substrate dependence on the optical properties of Al2O3 films grown by atomic layer deposition 71 : 3604 ~
/ 1997. / X-ray photoelectron spectroscopy and x-ray diffraction study of the thermal oxide on gallium nitride 70 : 2156 ~
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