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논문 기본 정보
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- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제2호
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 50 - 54 (5page)
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The AgInS2 epilayers with chalcopyrite structure grown by using a hot-wall epitaxy (HWE) method have been confirmed to be a high quality crystal. From the optical absorption measurement, the temperature dependence of the energy band gap on the AgInS2/GaAs was derived as the Varshni's relation of Eg(T) = 2.1365 eV - (9.89 × 10-3 eV/K) T2/(2930 ＋T eV). After the as-grown AgInS2/GaAs was annealed in Ag-, S-, and In-atmosphere, the origin of point defects of the AgInS2/GaAs has been investigated by using the photoluminescence (PL) at 10 K. The native defects of VAg, VS, Agint, and Sint obtained from PL measurement were classified to donors or acceptors type. And, we concluded that the heat-treatment in the S-atmosphere converted the AgInS2/GaAs to optical p-type. Also, we confirmed that the In in the AgInS2/GaAs did not form the native defects because the In in AgInS2 did exist as the form of stable bonds.
목차
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/ 1958. / Optical absorption and energy band structure of AgInS2 112 : 1555 ~
/ 1963. / The of band-gap anomaly in ABC2 chalcopyrite semiconductors 132 : 563 ~
/ 1967 / Electron radition damage in AgInS2 crystal at liquid-elium temperature 34 : 49 ~
/ 1967. / Crystal-field spectra of 3dn impurities in AgInS2semiconductors : 649 ~
/ 1971. / P Far-infrared optical absorption of Fe2+ in AgInS2 : 2465 ~
/ 1963. / The of band-gap anomaly in ABC2 chalcopyrite semiconductors 132 : 563 ~
/ 1967 / Electron radition damage in AgInS2 crystal at liquid-elium temperature 34 : 49 ~
/ 1967. / Crystal-field spectra of 3dn impurities in AgInS2semiconductors : 649 ~
/ 1971. / P Far-infrared optical absorption of Fe2+ in AgInS2 : 2465 ~
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