The Analysis of Three-dimensional Oxidation Process with Elasto-viscoplastic Model

이흥주; 이준하

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이흥주 이준하

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제6호

발행연도: 2004.1

수록면: 215 - 219 (5page)

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This paper presents a three-dimensional numerical simulation for thermal oxidation process. A new elasto-viscoplastic model for robust numerical oxidation simulation is proposed. The three-dimensional effects of oxidation process such as mask lifting effect and corner effects are analyzed. In nano-scale process, the oxidant diffusion is punched through to the other side of the mask. The mask is lifted so the thickness of oxide region is greatly enhanced. The compressive pressure during the oxidation is largest in the mask corner of the island structure. This is because the masked area near the corner is surrounded by an area larger than the others in the island structure. This stress induces the retardation of the oxide growth, especially at the masked corner in the island structure.

#Oxidation #Three-dimension #Elasto-viscoplastic #Lifting effect #Corner effect

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/ 1965. / General relationship for the thermal oxidation silicon 36 : 3770 ~

/ 1982. / The oxidation of shaped silicon surfaces 129 : 1728 ~

/ 1988. / Process and device simulation of trench isolation corner para-sitic device : 329 ~

/ 1988. / Two-dimensional thermal oxidation of silicon-Ⅱ. modeling stress effects in wet oxides IEEE Trans. on Electron Devices 35 : 25 ~

/ 1989. / Plastic flow during thermal oxidation of silicon 54 (16) : 1516 ~

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이준하

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