Molecular Dynamics Simulations of Nanomemory Element Based on Boron Nitride Nanotube-to-peapod Transition

황호정; Jeong Won Kang; Ki Ryang Byun

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자료유형: 학술저널

저자정보: 황호정 Jeong Won Kang Ki Ryang Byun

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제6호

발행연도: 2004.1

수록면: 228 - 233 (6page)

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We investigated a nonvolatile nanomemory element based on boron nitride nanopeapods using molecular dynamics simulations. The studied system was composed of two boron-nitride nanotubes filled Cu electrodes and fully ionized endo-fullerenes. The two boron-nitride nanotubes were placed face to face and the endo-fullerenes came and went between the two boron-nitride nanotubes under alternatively applied force fields. Since the endo-fullerenes encapsulated in the boron-nitride nanotubes hardly escape from the boron-nitride nanotubes, the studied system can be considered to be a nonvolatile memory device. The minimum potential energies of the memory element were found near the fullerenes attached copper electrodes and the activation energy barrier was 3.579 eV. Several switching processes were investigated for external force fields using molecular dynamics simulations. The bit flips were achieved from the external force field of above 3.0 eV/ Å.

#Bucky shuttle memory device #Fullerene #Molecular dynamics simulation #Boron-nitride peapod #Boron-nitride nanotube #Nano nonvolatile memory

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/ 1988. / Empirical interatomic potential for silicon with improved elastic properties 38 : 9902 ~

/ 1991. / Helical microtubules of graphitic carbon 354 : 56 ~

/ 1994. / Stability and band gap constancy of boron-nitride nanotubes 28 : 335 ~

/ 1996. / Science of Fullerenes and Carbon Nano-tubes

/ 1997. / Fullerene nanotubes 85 : 324 ~

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