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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제26권 제8호
발행연도
2013.1
수록면
602 - 607 (6page)

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플렉서블 디스플레이 및 전자소자에 대한 관심으로 인해 투명 산화물 반도체 (Transparent Oxide Semiconductor)에 대한 관심 또한 증가 하였으며. 그 중 ZnO가 주목받고 있다. ZnO기반의 MgxZn1-xO는 밴드갭 조절을 위해 ZnO에 Zn2+(0.6 A)와 이온반경이 비슷한 Mg2+(0.57 A)를 적절히 고용함으로써 3.36 ～7.8 eV로 밴드갭 조절이 가능하다. 특히 플렉서블 플라스틱 기판의 경우 비정질의 구조일 뿐만 아니라 표면형태가 좋지 않기 때문에 플렉서블 기판에서의 MgZnO 박막의 성장에 관한 연구는 필수적이다. 따라서 본 논문에서는 산소분압에 따른 Mg0.1Zn0.9O 박막의 구조적 특성 및 결정성에 관해 연구하였다. MgZnO 박막 증착은 타겟과 같은 조성을 갖는 박막 형성을 위해 펄스레이저 증착법을 사용하였다. 박막의 구조적 특성 분석을 위해 XRD와 AFM을 사용하였으며 투과율과 밴드갭 측정을 위해 UV-visible spectrophotometer을 사용하였다. 낮은 산소분압에서 결정화는 관찰되지 않았다. 온도가 증가함에 따라 박막의 결정성은 향상되었으며 그레인 사이즈와 RMS 거칠기는 증가하였다. MgZnO 박막은 가시광선영역에서 80% 이상의 높은 투과율을 나타내었다.
#MgZnO #buffer layer #XRD #AFM #UV

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참고문헌 (10)

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