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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 900 - 904 (5page)
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본 논문에서는 p-type LTPS TFT들에 대한 positive bias stress (PBS) 조건하에 야기된 비이상적인 hump 현상에 대해 분석하였다. 열악한 전기적 특성을 갖는 소자에서 더 큰 hump 현상 또한 나타났으며, 이 hump 현상의 원인은 게이트 절연체의 폭 방향의 가장자리에서 트랩된 전자들에 의해 기생채널이 형성되는 것으로 설명될 수 있다. Low-high frequency capacitance 방법과 Levinson-proano 방법으로 추출된 interface trap density(D_(it))와 grain boundary trap density (N_(trap))는 더 큰 hump 특성을 갖는 소자들에서 더 많은 trap density를 갖는 다는 사실을 확인할 수 있었다. 그리고 C-V 와 I-V 전송 특성들로부터, hump를 야기하는 트랩된 전자들은 S/D과 gate가 중첩된 영역에서 특히 생성되는 것으로 드러났다. 이러한 분석을 바탕으로, p-type LTPS TFT의 PBS에서 나타나는 비 이상적인 hump 현상의 주요 원인은 S/D과 gate가 중첩된 영역으로부터 형성된 GIDL에 의해 생성된 전자가 얇게 형성된 게이트 절연체의 채널 가장자리 부분에 트랩되는 것으로 설명될 수 있다. 그리고 이러한 결과는 hump의 크기가 평균 트랩 밀도에 의존한 다는 사실에 의해 지지될 수 있다.
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