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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제27권 제7호
발행연도
2014.1
수록면
433 - 437 (5page)

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N+-Si 웨이퍼 위에 절연막을 기른 후 투명 박막트랜지스터(TTFT)를 제작하였다. ZTO막을 고주파 스퍼터링하여 TTFT의 활성층으로 사용하였다. ZTO막의 두께에 따른 TTFT의 이동도, 문턱전압 등의 변화를 조사하였다. ZTO막의 두께가 증가함에 따라 VT가 감소하였다. ZTO막의 두께를 7 nm에서 12 nm로 증가시키면 μs가 5.1 cm2/Vsec에서 27.0 cm2/Vsec로 크게 증가하였으며, 12 nm 이상의 두께에서는 μs가 다시 감소하였다. Subthreshold swing(SS)은 ZTO막의 두께에 비례하여 증가하였다.
#Transparent thin film transistors #Zinc tin oxide #Mobility #Threshold voltage #Subthreshold swing

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참고문헌 (11)

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A. Rolland / 1993 / / J. Electrochem. Soc. 140 : 3679 ~ google schola B. G. Streetman / 1995 / Solid State Electronic Devices / Prentice-Hall international, Inc. : 312 ~ google schola C. Lin / 2011 / / Solid-State Electronics 64 : 10 ~ google schola D. K. Schroder / 1990 / Semiconductor Material and Device Characterization / A Wiley-Interscience Publication : 226 ~ google schola E. Fortunato / 2007 / / Phys. Stat. Sol. 106 : R34 ~ google schola

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