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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제26권 제11호
발행연도
2013.1
수록면
816 - 820 (5page)

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NH3/N2O 혼합가스와 고정된 SiH4 가스를 이용하여 저온 플라즈마로 강화된 화학 기상 증착으로 성장된 실리콘 질화물 산질화물의 특성을 연구하였다. 증착 온도는 150℃ 이고, 이는 플라스틱 기판에 호환할 수 있는 온도이다. 질화막의 조성과 결합구조는 FTIR (fourier transform infrared spectroscopy)과 XPS (X-ray photoelectron spectroscopy)를 사용하여 측정하였다. Nitrogen-richness는 NH3 분율이 증가할 때 유전상수와 광 밴드 갭의 증가로 확인할 수 있었다. 질화막의 누설전류 밀도는 NH3 분율이 감소할 때 8×10−9 to 9×10−11(A/cm2 at 1.5 MV/cm)으로 증가함을 확인하였다. 이 결과로 NH3/N2O 혼합가스에서 증착되는 박막을 게이트 절연체로 사용할 수 있는 전기적특성이 향상됨을 보였다.
#TFT #Low temperature #PECVD #SiNx #Flexible display

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