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논문 기본 정보

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저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제26권 제5호
발행연도
2013.1
수록면
335 - 340 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2013

BCl3/Ar 유도결합 플라즈마 안에 CH4 가스 첨가에 따른 건식 식각된 TaN 박막 표면의 연구
우종창 ,  최창억 ,  양우석 외 4명 전기전자재료학회논문지 2013.01 학술저널

2010

Cl2/BCl3/Ar 플라즈마에서 반응성 이온들에 의해 식각된 ZnO 박막 표면 연구
우종창 ,  김창일 전기전자재료학회논문지 2010.01 학술저널

2009

Cl₂/BCl₃/Ar 플라즈마에 의해 식각된 ZnO 박막 표면의 연구
우종창 ,  하태경 ,  위재형 외 4명 한국표면공학회 학술발표회 초록집 2009.05 학술대회자료

2008

CH₄ 플라즈마에 따른 TiN 박막 표면의 식각특성 연구
우종창 ,  엄두승 ,  김관하 외 2명 한국표면공학회지 2008.10 학술저널

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본 연구에서는 CH4/BCl3/Ar 플라즈마 안에서 식각된 TaN 박막 표면의 특성을 연구하였다. 이때 CH4/BCl3/Ar=3:4:16 sccm 플라즈마 안에서 TaN 박막의 최고 식각속도는 104.3 nm/min 확인 할 수 있었다. BCl3/Ar(4:16 sccm)의 가스 조건에서 3 sccm의 CH4 가스를 첨가하였을 때 가장 높은 식각속도를 얻었다. 또한, 3 sccm 이상의 CH4 가 첨가될 경우 식각 속도는 줄어들었으나, TaClx와 같은 식각 부산물을 감소시켜 깨끗한 TaN 표면을 얻을 수 있는 것으로 판단된다. TaN 박막을 XPS을 이용하여, CH4/BCl3/Ar 플라즈마 안에서 식각된 TaN 박막 표면의 화학적 반응을 확인하였다. 또한, 식각된 TaN 박막 표면의 반응을 확인하기 위해 FE-SEM을 통해서 확인할 수 있었다.
#Etch #TaN #Plasma #ICP #BCl3/Ar #CH4

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참고문헌 (17)

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A. Arranz / 2000 / / Surf. Interface Anal 29 : 653 ~ google schola A. Le Gouil / 2007 / / J. Vac. Sci. Technol. B 25 : 767 ~ google schola B. H. Lee / 2000 / / Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet : 39 ~ google schola C. K. Hu / 2001 / / Appl. Phys. Lett 78 : 904 ~ google schola C. Q. Jiao / 1997 / / Chem. Phys. Lett 265 : 242 ~ google schola

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