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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.1
- 수록면
- 73 - 79 (7page)
이용수
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본 본문은 실리콘 질화막(SiNx)과 실리콘 산화막(SiOx)을 사용하여 SiNx/SiNx와 SiNx/SiOx 구조로 된 이층 반사방지막을 적용한 결정질 실리콘 태양전지에 대한 연구이다. 이층 구조의 반사방지막을 태양전지에 적용하기 전에 PECVD로 증착된 실리콘 질화막과 실리콘 산화막의 패시베이션 효과와 광학적 특성에 대한 연구를 수행하였다. 실리콘 질화막의 굴절률을 1.9-2.3의 범위로 다양화 했을 때 굴절률 2.2에서 1370㎛의 유효 반송자 수명이 측정됐고 굴절률이 1.9일 때 300-1100 파장 범위에서 가장 낮은 소광계수 값이 나타났다. 실리콘 산화막의 경우도 굴절률 1.9의 실리콘 질화막과 동일하게 같은 파장 범위에서 거의 0에 가까운 낮은 값을 가졌다. 그러므로 이층 반사방지막의 하부 층으로는 패시베이션 특성이 좋은 굴절률 2.2인 실리콘 질화막을 사용하였고 상부 층으로는 낮은 소광계수 값을 가지는 굴절률 1.9인 실리콘 질화막과 굴절률 1.46인 실리콘 산화막을 사용하였다. 그 결과 이층 반사방지막이 적용된 태양전지는 단층 반사방지막으로 구성된 태양전지보다 표면에서의 반사손실이 적고 더 많은 빛을 흡수할 수 있기 때문에 단층 SiNx 구조에 비해 SiNx/SiNx 구조는 개방전압(Voc)이 3.7 mV, 단락전류(Jsc)가 0.11 mA/cm2 만큼 상승하였고 SiNx/SiOx 구조는 Voc가 5.2 mV, Jsc가 0.23 mA/cm2 증가하였다. 그로 인해 변환 효율 역시 각각 0.1%, 0.23%씩 향상되었다.
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