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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제26권 제1호
발행연도
2013.1
수록면
64 - 67 (4page)

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최근 Fe3O4 나노선을 성장시킨 방법으로는 AAO template을 이용한 방법과, Hydrothermal 방법 등이 보고되어지고 있다. 본 연구에서는 아직까지 보고되지 않은, Pulsed laser deposition (PLD)을 이용해서 Al2O3 (0001) 기판위에 Fe3O4 나노선을 성장시키고 제어할 수 있는 방법을 제시한다. 기판온도 640℃에서 증착 시, Fe3O4와 Al2O3 (0001) 기판의 열팽창 계수 차이로 인한 압축응력 (compressive stress)을 받게 한다. 증착이 끝난 후에 기판 온도를 낮추게 되면서 압축응력이 풀리게 되면서, Grain 사이에서 Fe3O4 나노선을 성장시켰다. 성장된 나노선은 2-10 μm의 길이와 약 130 nm의 두께를 가지고 있으며, 나노선의 자기적 특성을 고감도 자화측정기를 통해서 1.19 memu의 포화자화 값과 0.68의 squareness값을 확인하였다. PLD 방법으로 성장된 Fe3O4 나노선은 AAO template을 이용하는 것보다 공정이 보다 간편하면서 우수한 자화값을 나타내었다.

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